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塞贝克效应

 

  如图所示,当两个不同的导体a和b两端相接,组成一个闭合线路,如两个接头A和B具有不同的温度,则线路中便有电流,这种电流称为温差电流,这个环路便组成所谓温差电偶,产生电流的电动势称为温差电动势,其数值一般只与两个接头的温度有关。这个效应是于1821年由塞贝克发现的,故称为塞贝克效应,温差电动势亦称为塞贝克电动势。

 

 

半导体的热导率

 

  当晶体的某一部分温度升高时,则热能将由晶体的高温部分传导到低温部分,使整个晶体的温度趋于一致。以一维情况为例,在晶体中设想一个很小的面积ds,dT / dx沿x方向的温度梯度,则在dt时间内通过面积ds的热量Q与面积ds、温度梯度dT / dx及时间dt成正比,即

  负号表示热量由高温流向低温;k称为晶体的热导率,单位为:W/(m?K)。

 

 

霍尔效应

 

  把通有电流的半导体放在均匀磁场中,设电场沿X方向,电场强度为Ex;磁场方向和电场垂直,沿z方向,磁场感应强度为Bz,则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场Ey,这个现象称为霍尔效应?;舳绯y与电流密度Jx和磁场感应强度Bz成正比,即

Ey=RHJxBz

  比例系数RH称为霍尔系数,即

 

 

 

 

(来源:《半导体物理学》第七版   电子工业出版社)

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磁场

 

  (国际电工委员会IEC的定义)电磁场的组成部分,采用磁场强度H和磁通密度B表示其特征。(我国国家标准定义)磁场是一种场,其特征可在场内运动着的带电粒子所受的力来确定,这种力源于粒子的运动及其所带电荷。

 

磁滞回线

 

  铁磁体从正向至反向,再至正向反复磁化至技术饱和一周,所得到的B与H的闭合关系曲线称为磁滞回线。

 

  剩磁Br、 UoMr或 4πMr :

  永磁体从磁化至技术饱和并去掉外磁场后,所保留的Mr、UoMr或 4πMr或Br,分别称为剩余磁化强度,剩余内禀磁感应强度和剩余磁感应强度,它们统称为剩磁。

 

  矫顽力:

  Hcb、 Hcj 使磁化至技术饱和的永磁体的B(磁感应强度)降低至零所需要的反向磁场强度称为磁感矫顽力,同理,使内禀磁感强度UoM或Mr降低至零所需的反向磁场强度称为内禀矫顽力。

 

  ******磁能积:

  (BH)max 退磁曲线上任何一点的B和H的乘积即Bm、 Hm和(BH)代表了磁铁在气隙空间所建立的磁能量密度,即气隙单位体积的静磁能量,由于这项能量等于磁铁Bm与Hm的乘积,因此称为磁能积,磁能积随B而变化的关系曲线称为磁能曲线,其中一点对应的Bd和Hd的乘积有******值,称为******磁能积。

 

  弯曲点Hk:

  通常将内禀退磁曲线上的点Bi=0.9Br相对应的磁场称为弯曲点磁场Hk,Hk越大意味着内禀退磁曲线的方形度越好。

 

  剩磁温度系数(αBr):

  温度在某范围内变化时剩余磁感应强度可逆变化的百分数与温度变化度数的比值,称为剩余磁温度系数。

 

  磁化强度矫顽力温度系数(βHcj):

  温度在某范围内变化时,磁化强度矫顽力可逆变化的百分数与温度变化度数的比值。

 

  居里温度:

  Tc 自发磁化强度消失的温度。

 

 

 均匀区均匀度的测量 

 

  测量均匀区的均匀度:使电源输出为一定值并待其稳定,测量线圈中心磁场,将测场仪在均匀区内平稳移动,确保探头无倾斜转动,记录磁场在均匀区内各点数值。若中心磁场值为H0,均匀区内另一点磁场值为H1,那么这一点的磁场偏差即为ΔH=H1-H0,则此点磁场的均匀度为ΔH/H0;

 

 

磁学量常用换算单位 

 

磁学量名称

符号

CGS单位

SI单位

换算比

(SI制数值乘以此数即得CGS制数值)

磁极强度

m

 

韦(Wb)

108/4π

磁通

φ

麦克斯韦(Mx)

韦(Wb)

108

磁矩

Mm

磁?矩

安/米2(A/m2)

103

磁通密度或

磁感应强度

B

高斯(Gs)

韦/米2或特[斯拉]

(Wb/m2或T)

104

磁场强度

H

奥斯特(Oe)

安/米(A/m)

1/79.6

磁势

磁通势

φm

Vm

奥·厘米(Oe·cm)

安匝(A)

4π/10

磁化强度

M

高斯(Gs)

安/米(A/m)

10-3

相对磁化率

χ

 

 

相对导磁率

μ

 

 

1

退磁因子

N(CGS) D(SI)

 

 

真空导磁率

μ0

1

4π/107

107/4π

磁阻

Rm

(奥·厘米)/麦克斯韦

安匝/韦(A/Wb)

4π·10-9

磁晶各向异性常数

K1

erg/cm2

焦/米3(J/m3)

10

磁能积

(BH)m

高·奥

焦/米3(J/m3)

109/ 7.96

畴壁能密度

γ

erg/cm2

焦/米2(J/m2)

103

 

 

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